Memoria RAM G.Skill RipJaw S5 Black 32GB (2x16GB) 5200 MHz DDR5

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RAM G. Skill RipJaw S5 Black 32GB (2x16GB) 5200 MHz DDR5 Memória

Ripjaws S5 é uma memória DDR5 de alto desempenho para a mais recente plataforma de processadores Intel Core. Usando apenas os melhores circuitos integrados de memória selecionados à mão em sua classe que passaram os rigorosos testes de desempenho G. SKILL, cada kit de memória Ripjaws S5 alcança o equilíbrio perfeito entre desempenho, compatibilidade e estabilidade.

Desempenho de memória de alta velocidade com 12 ª Intel Core CPU; geração &oatron e plataforma Z690

G. SKILL é dedicado ao desenvolvimento de uma memória cada vez m &aemelhores em cada nova geração de plataformas Intel. Desenvolvido e otimizado nos mais recentes processadores Intel Core 12 ª e plataforma de chipset Z690, a Ripjaws S5 potencializa o potencial de velocidade do DDR5 para oferecer um nível completamente novo de desempenho a jogadores, overckers e entusiastas em todo o mundo.

Experimenta a evolução da velocidade extrema

Com base na experiência de experiência de desenvolvimento de memória de alto desempenho, a série de memórias Rripjaws S5 DDR5 são ñ ada com circuitos integrados de alta qualidade selecionados e dise ñ para alto desempenho de velocidade. Em contraste com a velocidade de frequência DDR4, os 3200 MT/s, o DDR5 foi significativamente aprimorado pelo suporte de velocidade de memória para chegar a 4800 MT/s ou m. Seja você um jogador, um overclocker, ou um criador de conteúdo, o Ripjaws S5 é a escolha ideal para experimentar o alto desempenho da memória DDR5 de geração máxima.

S ú velocidade com estilo

A série Rripjaws S5 de geração máxima &oatu; n adota um ñ ou uma escória minimalista inspirada nas listras e parrlats.

Dise ñ es ou low profile compact

Com uma altura de perfil baixo de apenas 33 mm, a memória Ripjaws S5 é uma escolha ideal para compilações ou sistemas compactos mini-ITX com grandes coolers de CPU.

Desbloqueando o &iabilidades da capacidade com a memória DDR5

A memória DDR5 é ñ ada para suportar uma maior capacidade de m ó dutil, a partir de 16 GB por m &onodal e até 128 GB por módulo. Isso desbloqueia maiores limitações de capacidade para um fluxo de trabalho de fluidos em cargas de trabalho exigentes, como criação de conteúdo, vídeo e representação de vídeo e animação.

Dise ñ es ou administração de energia &iacetos para completamente novo

Cada módulo de memória dDR5 é construído com um chip integrado de gerenciamento de energia integrado (PMIC), possibilitando um melhor controle de energia para granular e entrega de energia a uma tecnologia confiável para melhorar a integridade do ñ em velocidades de alta frequência. Em última instância, ele garante o alto nível de estabilidade do sistema para jogos e para o cargo.

Dise ñ es para melhor experiência DDR5

Cada um dos kits de memória Ripjaws S5 são testados sob o rigoroso processo de validação de G. SKILL para garantir a melhor confiabilidade e compatibilidade de sua classe na ampla gama de motherboards.

Ultra eficiente em energia para

Dise ñ com uma tensão de ultra-working de 1,1 -V, a memória DDR5 é &aedndar reduz o consumo de energia elétrica s e é mais eficiente do que a memória DDR4.

Compatibilidade com XMP 3,0

Simplesmente config &urecto relo e pronto. Programado com os mais recentes perfis Intel XMP 3,0, a única coisa que fica entre você e um desempenho extremo é uma configuração simples. Além disso, o XMP 3,0 permite que você salve dois perfis personalizáveis definidos pelo usuário no módulo memória-para-memória para o BIOS nas placas-mãe compatíveis, assim, suas configurações de memória ajustadas vão onde quer que os módulos vão.

Especificações:

  • Memória
  • Tipo de Memória Interna: DDR5
  • Memória interna: 32 GB
  • Formulário de Fator de Memória: 288-pin DIMM
  • Frequência: 5200 MHz
  • Layout da memória (modles x tamanho): 2 x 16 GB
  • CIT Latência: CL40
  • ECC: Não
  • Memória sem buffer:
  • Detalhes t &eicnics
    • Tipo de resfriamento: Controle de energia
    • Controle de energia &iuacute; a
      • Voltagem da memória: 1,1 V